技术编号:11776802
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及IGBT(InsultedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)技术领域,更为具体的说,涉及一种沟槽栅IGBT及其制作方法。背景技术绝缘栅双极型晶体管是在金属氧化物场效应晶体管和双极结构型晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件。作为新型功率半导体器件的主型器件,其具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单等特点,被广泛应用于工业、信息、新能源、医学、交通等领域。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。