技术编号：11776861
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光器件制造领域，尤其涉及一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法。背景技术现有技术中的发光器件的电极制备方法多采用PVD成膜加上干法或湿法刻蚀出单独的电极结构，如授权公告号为CN101459226B，发明名称为“顶部发光有机显示器的阳极结构及其制造工艺”公开了在硅衬底上用PVD的方法镀膜形成阳极电机的方法，但是采用镀膜法形成电极需要多套掩膜版，生产成本很高，且多套掩膜版之间需解决垂直对准的技术问题。剥离工艺是一种通过牺牲材料在基底表面上建立目标材料结构的常用方法。因此，本领域的技...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。