技术编号：11776888
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种阻变存储器的制造方法和阻变存储器。背景技术随着大规模集成电路技术的持续发展，受其自身存储机理的限制使得传统Flash存储器技术难以满足摩尔定律的发展，追求单片集成密度，对Flash造成成本和技术的压力。为了降低生产成本,同时避免技术节点的物理极限对存储市场的影响，寻求高集成度、更高速读取的存储,进而取代Flash的存储器成为了人们研究的热点。近些年来，基于新的存储机理和技术的新型非挥发性存储器也不断出现。阻变存储器(RRAM)作为下一代非挥发存储器有力候选者...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。