技术编号:11779730
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于图案化的掩模蚀刻本申请主张于2015年4月2日提出的、标题为“用于图案化的掩模蚀刻(MASKETCHFORPATTERNING)”的美国非临时专利申请No.14/677,890的优先权权益,将所述申请案以引用方式全部并入本文中。技术领域本发明的实施例涉及电子装置制造的领域、尤其涉及蚀刻用于图案化的掩模。背景技术缩小半导体器件的尺寸和提高半导体器件的整合度是目前半导体器件制造中的其中两个主要趋势。由于这些趋势的结果,形成半导体器件的单元的密度不断增加。半导体器件缩小到次微米的尺寸需要的是半导体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。