技术编号：11779739
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实施例涉及发光器件。本实施例涉及紫外发光器件。本实施例涉及具有紫外发光器件的灯单元。背景技术通常，包括诸如氮(N)的V族源和诸如镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)的III族源的氮化物半导体材料具有优异的热稳定性和直接转变型能带结构，并且因此被广泛用作用于诸如紫外光区域和太阳能电池中的氮化物基半导体发光器件的氮化物基半导体器件的材料。氮化物基材料具有0.7eV至6.2eV的宽能带隙，并且因此由于与太阳光谱区域匹配的特性被广泛地用作用于太阳能电池装置的材料。特别地，紫外发光器件被使用在诸如固化设备...
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