技术编号:11799572
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高纯度六氯化钨及其制备方法相关专利申请的交叉引用本专利申请要求2015年4月17日提交的美国临时专利申请序列号62/149,155的权益。技术领域本文描述了包含六氯化钨(WCl6)的组合物和用于纯化六氯化钨(WCl6)的方法。更具体地,本文描述了包含具有足以适合用作半导体制造材料的纯度水平并具有使其适合用作半导体制造材料的特定晶相的的WCl6组合物,以及制备所述组合物的方法、设备和系统。发明背景金属卤化物如TaCl5、WCl6、WF6和HfCl4作为用于沉积在半导体器件中的金属膜或含金属膜的前体...
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