技术编号:11802998
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,更具体地说,本发明涉及一种沟槽型MOS晶体管制造方法。背景技术沟槽型MOS(trenchMOS)晶体管作为一种新型垂直结构器件,是在VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)的基础上发展起来的,两者均属于高元胞密度器件。但该结构与前者相比有许多性能优点:如更低的导通电阻、低栅漏电荷密度,从而有低的导通和开关损耗及快的开关速度。同时由于沟槽型MOS的沟道是垂直的,故可进一步提高其沟道密度,减小芯片尺寸。目前,请结合图1,沟槽型MOS的制作过程包括:在衬底1中形...
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