技术编号:11803007
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于含周期表第Ⅲ族元素的化合物的制备领域,涉及一种制备三乙基镓的方法。背景技术高纯三乙基镓等金属有机化合物(MO源)是金属有机化学气相沉积(简称MOCVD)、金属有机分子束外延(简称MOMBE)等技术生长半导体微结构材料的支撑材料,广泛应用于生长铟镓砷氮(InGaAsN)、铟镓砷(InGaAs)、铟镓磷(InGaP)等化合物半导体薄膜材料。公开号为102020670A的中国专利提供了一种工业化制备高纯三乙基镓的方法:以乙醚为溶剂,以镓镁合金、金属镁为原料,搅拌条件下将碘乙烷滴加入反应系统,...
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