技术编号：11806905
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学增幅光阻材料、共聚物及微影方法。背景技术半导体技术不断发展，特征尺寸愈来愈小，小至65纳米、45纳米甚至更小。用于生产小特征尺寸的光阻材料不再满足解析度及工艺的要求。例如，藉由紫外光通过掩膜照射涂覆于基板表面上的现有的正型(positivetone)光阻，在曝光区域产生质子酸。随后，将后曝光烘烤工艺应用于基板，以增强酸增幅，且光阻的酸性反应引起曝光区域中的极性转换。将显影剂冲洗应用于光阻，溶解曝光区域中的光阻。然而，由于酸扩散，尤其是后曝光烘烤期间的酸扩散，此光阻及其相应方法有缺陷...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。