技术编号:11810279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及阻变存储器(RRAM),具体涉及一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器的结构和读取方法,属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的非挥发存储器(Non-volatileMemory)的结构及其应用领域。背景技术非挥发性存储器是半导体器件很重要的组成部分。近年来,随着移动互联、物联网等技术的兴起,对于非挥发性存储器的需求在日益增高。Flash器件作为非挥发性存储器的代表,也一直按着摩尔定律持续地缩小。但是近几年,当特征尺寸接近20nm之后,器件的进一步缩小遭遇到了很大的挑战,例如数据间串...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。