技术编号:11811096
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体处理技术领域,特别涉及一种用于处理待处理衬底的半导体处理设备。背景技术随着半导体处理技术的发展,为完成半导体衬底的处理而需要应用到的不同半导体处理工艺数量越来越多;如在完成LED衬底的Al2O3+SiOx钝化膜层沉积的过程中以及在完成太阳能电池背钝化的Al2O3+SiNx钝化膜层沉积的过程中,就需要使用原子层沉积(AtomicLayerDeposition,ALD)工艺来完成Al2O3层的沉积,以及使用等离子增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVapor...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。