技术编号：11826593
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别设计涉及一种掩模及其形成方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更高的运算速度、更大的数据存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展，而半导体芯片集成度越高，半导体器件的特征尺寸(CriticalDimension,CD)越小。器件尺寸的缩小，对器件制造精度的要求也越来越严格。在半导体工艺中，对器件质量精度影响最大的是光刻的质量。光刻，简单来说就是将掩模上的图形转移到晶圆上的工艺过程。因而，掩模的质量会直接影响光刻的质量。参考图1和图...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。