技术编号：11826639
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路装备制造领域，尤其涉及一种杂散光测量装置及测量方法。背景技术现有杂散光测量方案中，方案一为Kirk等人提出一种光刻机投影物镜杂散光的检测技术(“Scatteredlightinphotolithographiclenses”，SPIEVol.2197,p566-572,1994)，其工作原理为按照一定步长设置一系列曝光剂量对特殊的掩模图像进行曝光，从而获得将硅片上非透光区和透光区光刻胶恰好清除掉的曝光剂量，两者的比值即为所求的杂散光比例，但是此种方法测量精度有限，且所需测量...
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