技术编号：11829490
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种3D闪存的控制方法及控制系统。背景技术由于3D闪存具有高存储容量的特点，因此受到越来越多行业的青睐，但是现有3D闪存存在上层操作系统对于不同逻辑地址访问的读写频度不同，且在现有3D闪存管理技术的框架下，某些逻辑地址对应的物理存储区域不断进行读写操作，而另一些逻辑地址对应的物理块长期不做更新。特别是在现有3D闪存芯片的物理空间的组织形式上，比如令log_page为逻辑页号，每个物理块中有page_per_block个物理页，当请求更新的数据仅存储在物理块的第of...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。