技术编号:11834321
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于氟化工和电子工业气体领域领域,具体涉及一种合成碳酰氟的装置。背景技术碳酰氟(COF2)广泛用于半导体制造过程中的清洁气体和刻蚀气体,由于其具有非常低的全球变暖潜能(GWP),故逐步替代了全氟化碳(PFC)和三氟化氮(NF3)等常规的清洁气体和刻蚀气体,另外碳酰氟在液晶制造领域的应用也有报道。目前,按照反应原料种类分类,碳酰氟的合成方法主要分成四种。1:一氧化碳或二氧化碳与氟气或二氟化银反应日本专利特开平11-116216号公报、日本专利特开2003-267712号公报、日本专利特许...
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