技术编号：11834572
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硫化锌薄膜的制备方法，属于薄膜制备技术领域。背景技术ZnS作为一种性能优良的光学、电学和光电一体化材料，具有极大的应用价值。ZnS是禁带宽度为3.6eV的电子过剩型本征半导体。固态ZnS受紫外线辐射(低于335纳米)、阴极射线、X射线、γ射线以及电场(电荧光)激发时产生辐射，是一种很好的荧光材料。同时，在8-12微米波段，ZnS具有良好的红外透光率，并具有较高熔点，可用来作为红外窗口材料，广泛应用于制作光激发二极管、抗反射镀层、大功率红外激光器窗口和红外吊舱窗口以及导弹光罩等。Zn...
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