技术编号：11834739
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳电子技术领域，具体涉及一种相变存储裸阵列的选址系统。背景技术相变存储器是利用以硫系化合物为主的相变材料可在晶态和非晶态之间发生可逆相变的基本原理来存储数据。相变材料处于晶态时具有低电阻率，呈现出低阻态；处于非晶态时具有高电阻率，呈现出高阻态。通过施加不同特点的脉冲对相变材料进行加热可实现晶态和非晶态之间的相互转变。两种相态高低阻态之间差异显著，因此通过高阻和低阻时电流差异也显著，便可以有效区分二进制的“0”和“1”两种状态，实现数据的存储和读写。相变存储器实现存储及读写功能的核心是...
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