技术编号:11835149
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于磁传感器技术领域,具体涉及一种微米级磁通聚集薄膜及其制备方法。背景技术磁传感器与人类的生活息息相关,已经广泛应用于航空航天、汽车、工业等领域。基于磁电阻效应的传感器由于具有高灵敏度、小体积、低功耗及易集成等特点正在逐步进入磁传感器市场,其中各向异性磁电阻(AMR)传感器已经大规模应用,巨磁电阻(GMR)传感器正方兴未艾,快速发展,隧道磁电阻(TMR)传感器由于具有高灵敏度和GMR宽动态范围等优点也得到了广泛的关注。提高磁传感器的磁场探测能力即灵敏度是磁传感器行业的研究目标之一,通过在磁...
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