技术编号:11835987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体的工艺方法。背景技术在现有IC(Integratedcircuit,集成电路)半导体的制造工艺过程中,ILD(InterLayerDielectric,层间介质层)介质层一般采用BPSG(Boro-phospho-silicate-glass,掺杂硼磷硅化玻璃)和PETEOS(PlasmaEnhancedTEOS,二氧化硅)作为绝缘层,钨用来作为金属层与器件的连线,由于BPSG表面浓度会随后续热过程而增加,会在PETEOS界面形成晶体析出,从而造成空洞引起钨的缺陷。发明内...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。