技术编号:11835989
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体制造技术领域,具体而言,涉及一种光刻方法、自对准硅化物工艺、接触孔制作工艺和有源区反刻工艺。背景技术在半导体制造工艺过程中,晶片边缘与硅衬底直接接触的SiOX层常被刻蚀掉,硅衬底直接暴露出,当这部暴露出的硅衬底表面设置Ti层、TiN层、Si3N4层或含Ti的硅化物层等与硅的热膨胀系数严重不匹配的结构层时,在热处理过程中,硅衬底与这些结构层之间存在较大的应力,此应力使得晶片边缘的这些结构层成为剥落缺陷源头掉入晶片的内部,影响器件的性能,造成器件的良率降低。现有技术中为了改善上述的边...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。