技术编号：11835992
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体器件的形成方法。背景技术在半导体制造技术的工艺流程中包括光刻和刻蚀两个重要的工艺步骤。在光刻过程中，首先将光阻旋转涂布在衬底上，然后对旋转涂布的光阻进行软烘干，使之成为固态薄膜；接着对光阻进行曝光处理和显影处理，在光阻中形成期望的光刻图案；然后以所述光刻图案为掩膜，对衬底进行刻蚀步骤，使得光刻图案转移至衬底中。在完成对衬底的刻蚀之后，已经不需要光阻作保护层，可以将其去除。随着半导体制造技术的进步，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以...
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