技术编号:11836002
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件的制作技术领域,尤其涉及一种回蚀硬掩膜的方法及互连层结构的制作方法。背景技术在集成电路的制作工艺过程中,通常需要对硬掩膜进行回蚀,以扩大后续工艺操作的窗口。例如,在沟槽隔离的制作过程中,通过光刻及刻蚀工艺在衬底内形成浅沟槽后,需要对硬掩膜进行回蚀,然后再刻蚀硬掩膜下方的介质层和衬底,形成具有圆滑顶角的浅沟槽,从而减少由于电子向沟槽顶角集中而引起的漏电流。再例如,在互连层的制作过程中,通常先在低介质材料上形成具有通孔的硬掩膜,并沿该通孔刻蚀低介质材料形成凹槽;然后,对硬掩膜进行...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。