技术编号:11836087
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域,特别涉及一种纳米线场效应晶体管的形成方法。背景技术集成电路已经从单一的芯片上集成数十个器件发展为集成数百万器件。传统的集成电路的性能和复杂性已经远远超过了最初的想象。为了实现在复杂性和电路密度(在一定芯片面积上所能容纳的器件的数量)方面的提高,器件的特征尺寸,也称为“几何尺寸(geometry)”,随着每一代的集成电路已经越变越小。提高集成电路密度不仅可以提高集成电路的复杂性和性能,而且对于消费者来说也能降低消费。基于对集成电路芯片高密度、高速度、低功耗的需求,集成电路...
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