技术编号:11836096
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶体管及其形成方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件朝着更高的元件密度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用,因此随着半导体器件的元件密度的提高,晶体管的栅极尺寸也越来越短。然而,晶体管的栅极尺寸变短会使晶体管产生短沟道效应,进而产生漏电流,最终影响半导体器件的电学性能。现有技术的晶体管包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底表面栅绝缘层;覆盖所述栅绝缘层的栅电极层;位于所述半导体衬底表面、且位于所述栅绝缘层、栅电极层两侧的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。