技术编号:11836109
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术,尤其涉及一种MOSFET器件的制作方法及MOSFET器件。背景技术在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管,MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)器件中,一般通过减小器件的导通电阻来减小功率损耗。而由于击穿电压与导通电阻成反比关系,所以当导通电阻减小时,会对击穿电压产生不利的影响。为了解决这一问题,现有技术中引入了超结功率MOSFET,其包括位于超结型功率MOSFET的有源区以下、交替形成的P型区和N型区...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。