技术编号:11836180
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶片封装方法。背景技术如图1及图2所示,现有晶片1封装方式是采用回焊(FC)封装体采用基板4上沾助焊剂2,基板4底下设置有锡球5,封装过程回焊烘烤,助焊剂清洗三道制程,但缺点是成本高,费工费时。回焊(FC)封装体只适用于宽间隙(WidePitch)bumps晶片封装,不适合于细间隙(FinePitch)bumps晶片封装(沾助焊剂锡凸点经回焊炉烘烤后,锡会随助焊剂热扩散,细间隙((FinePitch),CutracetoCutrace<60um铜线与铜线间距离小于60um)。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。