技术编号：11836197
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种检测晶圆键合质量的方法。背景技术实施半导体器件前段制造工艺以及部分后段制造工艺于晶圆中形成半导体前端器件和电连接半导体前端器件的多层互连金属结构之后，需要执行晶圆切割以获得晶粒。在执行晶圆切割之前，需要实施晶圆之间的键合。现有的晶圆键合工艺通常属于共晶键合，例如铜-铜键合、铟-金键合、锡-金键合、金-金键合等，上述键合方式需要在实施晶圆键合的两个晶圆中的一个晶圆上形成由铜、铅、铟或金等构成的焊盘，另一个晶圆上形成于所述焊盘的位置相对应的键合材料。实施晶圆...
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