技术编号：11836210
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种检测晶圆的方法。背景技术由于晶圆半导体工艺的不断进步，集成电路的尺寸越来越小，而电路也越来越密集，随之而来的寄生电阻与寄生电容的效应也相对严重，使得半导体工艺陷入瓶颈。因此许多新材料(如低介电系数(low-k)材料或超低介电系数(extremelow-k)材料)纷纷被开始使用在半导体工艺中，以期许能够解决寄生电阻与寄生电容的问题。然而当新材料被加入后，晶圆成为具不同结构强度的层状结构。此种结构在晶圆切割的过程中可能会产生晶圆剥裂及层间瑕疵的问题，在焊线时可能造成晶圆剥裂、弹坑的问题...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。