技术编号:11836272
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备技术领域,特别是涉及一种反应腔体以及干法刻蚀机台。背景技术刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的工艺步骤,是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。广义上来讲,刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称,成为微加工制造的一种普适叫法。刻蚀最简单最常用分类是干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀种类很多,包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。干法刻蚀的各向异性好,选择比高,可控性、灵活性、重复性好,易实现自动化...
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