技术编号:11836302
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体制造技术领域,具体而言,涉及一种半导体器件的制作方法。背景技术N-MOSFET的制作方法一般包括先进行浅沟槽隔离结构制作后沉积多晶硅的工艺和先沉积多晶硅后进行浅沟槽隔离结构制作的工艺,其中,图1示出了现有技术先沉积多晶硅后进行浅沟槽隔离结构制作的方法流程示意图;首先,在衬底100’上设置图2所示的衬垫氧化层101’、并在衬垫氧化层101’上形成图2所示的氮化硅层102’;对图2所示的氮化硅层102’、衬垫氧化层101’和衬底100’进行刻蚀,得到图3所示的沟槽200’;在图3所示...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。