技术编号：11836345
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及沟槽隔离集成电路结构，并且更特别地涉及沟槽隔离集成电路中的有源组件布局。背景技术集成电路能够利用沟槽工艺来制作。在沟槽工艺中，有源半导体器件，诸如晶体管，在绝缘填充沟槽围绕的有源硅的区域内电隔离。沟槽隔离集成电路可应用于需要能够维持超过一百伏的晶体管的高压背光显示产品中。在另一应用中，沟槽隔离集成电路用于形成产生高压的功率因数校正升压调节器。发明内容本公开的一个方面是衰减器设备，包括基板，基板与参考电压耦合，且衰减器设备具有第一有源器件和第二有源器件。第一有源器件形成在基板的第...
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