技术编号:11836373
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,更具体而言,是有关于形成半导体装置的替代金属栅极(RMG)。背景技术金属氧化物半导体(MOS)晶体管使用多晶硅栅极电极是已知的。多晶硅材料能够比大多数金属耐受高温工艺,所以多晶硅连同源极和漏极区能在高温下进行退火处理。另外,多晶硅阻挡掺杂原子进入通道区的离子植入,以利于在栅极图案化完成后形成自我对准的源极与漏极结构。多晶硅材料的高电阻,相较于大多数金属材料,会导致多晶硅栅极电极其运作速度远慢于由金属材料制成的栅极。补偿多晶硅材料的高电阻的一种方法是在多晶硅材料上进行广泛的硅...
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