技术编号:11836549
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。接触结构及其形成方法优先权声明和交叉引用本申请要求2014年8月7日提交的标题为“MethodofTiSalicideFormationwithLowResistanceandResultingStructure”的美国临时申请第62/034,424号的权益,其全部内容结合于此作为参考。技术领域本发明涉及集成电路器件,更具体地,涉及接触结构及其形成方法。背景技术半导体器件用于各种电子应用中,作为实例,诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导...
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