技术编号：11836586
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及晶体生长装置领域，具体涉及一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置。背景技术GaN是一种具有较大禁带宽度的半导体，可作为微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。GaN晶体的生长方法主要有氢化物气相外延、高温高压法、钠流法和氨热法，其中钠流法和高温高压法都采用氮气作为GaN晶体生长的氮源，N在氮气氛围与金属镓溶液界面、或者氮气氛围与金属镓/金属钠混合溶液的界面处溶解，然后向低N浓度的溶液底部扩散，输送到GaN籽晶的表面成为晶体生长的氮源。因此，...
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