技术编号:11836737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路器件,更具体地,涉及改进电阻式随机存取存储器(RRAM)的保持性能的高k方案。背景技术许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在电源断开时存储数据,而易失性存储器不能。由于电阻式随机存取存储器(RRAM)的简单的结构和与互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑制造工艺的兼容性,RRAM是用于下一代非易失性存储技术的有前景的候选之一。RRAM单元包括垂直地位于后段制程(BEOL)金属化层内的两个电极之间的电阻式数...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。