技术编号:11836839
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件和电子装置。背景技术在半导体技术领域中,静电放电(ESD)现象是对集成电路(IC)的一大威胁。随着半导体制程工艺尺寸的不断减小,ESD防护设计在纳米级的CMOS技术中变得越来越具有挑战性和难度。SCR(可控硅整流器)器件由于其强的ESD鲁棒性(robustness)和在单位面积下具有最强的电流泄放能力被广泛应用于IC的片上静电放电(ESD)保护。当其被用作低工作功率源ICs时,SCR器件高的触发电压限制了其应用范围。因此一些先进技术例如二极管辅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。