技术编号:11836846
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明概括地涉及到高电子迁移率晶体管,特别地涉及到具有周期性碳掺杂的氮化镓(GaN)层的高电子迁移率晶体管。背景技术高电子迁移率晶体管(HEMT)是一类其中在沟道层和电子亲和性比沟道层的小的阻挡层之间形成异质结的场效应晶体管(FET)。二维电子气(2DEG)由于在沟道层-阻挡层界面处极化场的失配而在III-V族HEMT器件的沟道层中形成。2DEG具有在器件操作期间促进高速转换的高电子迁移率。在典型的HEMT器件中,负偏置电压可以施加至栅电极以耗尽2DEG并由此关闭器件。III-V族HEMT器件是...
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