技术编号:11836858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高电子迁移率晶体管等化合物半导体装置。背景技术关于高电子迁移率晶体管(HEMT:HighElectronMobilityTransistor),发挥其优异的高频特性,被用于卫星播放用接收天线、车载用毫米波雷达等的放大器。关于近年实用化的HEMT的外延构造,为了向载流子移动层即沟道层高浓度且高效地供给载流子,双掺杂HEMT成为主流,该双掺杂HEMT不仅在沟道层的上侧,在下侧也具有载流子供给层。作为双掺杂HEMT的载流子供给层而使用均匀掺杂(uniformlydoped)供给层,该均匀掺杂...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。