技术编号：11836866
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高电子迁移率晶体管及制备方法。背景技术第三代宽禁带半导体材料因其优异的性能得到了飞速发展。由于AlGaN/GaN异质结压电极化和自发极化作用，半导体氮化镓的异质结构的沟道具有高电子(二维电子气)浓度、高电子迁移率及高电子饱和速度。目前，氮化镓高电子迁移率晶体管包括耗尽型器件，或称为常开器件，以及与常开器件相对应的增强型器件，或称为常关器件。但是，耗尽型器件的应用有局限性，而增强型氮化镓高电子迁移率晶体管是高速开关、高温GaN数字电路和射频集成电路的重要组成部...
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