技术编号：11836932
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体应用领域，特别是串联多个扩散电势二极管应用在各式电路。背景技术依据现有的二极管有p-n接合二极管(p-njunctiondiodes)、稳压二极管(Zenerdiodes)、雪崩二极管(Avalanchediodes)、变容二极管(Varactordiodes)、隧道二极管(Tunneldiodes)、葛恩二极管(Gunndiodes)、发光二极管(Lightemittingdiodes,LED)及萧特基二极管(Schottkydiodes)等皆为p-n接合型，其中以萧特基二极...
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