技术编号：11837067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管外延技术领域，特别是能改善GaN晶体质量的LED外延结构。背景技术GaN基材料属于直接带隙半导体，并且其带隙从1.8-6.2V连续可调，是生产高亮度蓝光、绿光和白光LED的最常用材料，由于半导体二极管具有体积小、高效、节能、使用寿命长、环保耐用等特点而广泛应用于背光源、显示屏、传感器、通讯及照明等领域。因此，很多LED专家学者致力于LED亮度的研发中，而外延生长方式对亮度的影响尤为重要。辐射复合效率是外延生长工艺影响亮度的关键点，影响它的因素较多，如量子限制效应，极化效应，缺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。