技术编号：11837112
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED照明技术领域，具体涉及一种硅衬底高密度LED光源模组及基于共晶焊的硅衬底高密度LED光源模组制备方法。背景技术目前，传统的蓝宝石衬底GaN大功率芯片，其电极位于芯片的出光面上。芯片工作时，约30%的光被P电极吸收，且由于P-GaN层有限的导电率，要求在P-GaN层表面再沉积一层电流扩散的金属层。这个电流扩散层又Ni/Au组成，会遮挡一部分光，影响芯片的出光效率。为了减少对发射光的吸收，电流扩散层的厚度应减少到几百奈米。厚度的减少又限制了电流扩散层在P-GaN层表面均匀和可靠地扩散...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。