技术编号:11837134
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光元件及其制造方法,更详言之,是涉及一种具有高亮度的发光元件。背景技术发光二极管(light-emittingdiode,LED)为P型半导体与N型半导体所组成的光电元件,通过P-N接面上载流子的结合放出光线,加上具有体积小、低耗电量、寿命长、反应速度快等优点,广泛地使用于光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材等。现有的发光二极管结构有水平式结构以及垂直式结构。在水平式结构以及垂直式结构发光二极管中,芯片的正面(出光面)有电极遮蔽,使得出光受限制,因此...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。