技术编号:11837166
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及电子电路领域,更具体地,涉及RRAM器件。背景技术许多现代电子器件包含被配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可为易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在没有供电的情况下存储数据,而易失性存储器则不能,阻变式随机存储器(RRAM)由于其简单的结构以及与金属氧化物半导体(CMOS)逻辑制造工艺的兼容性,成为下一代非易失性存储器技术极具前景的选择。RRAM单元包括具有绝缘层的“MIM”结构,该绝缘层置于在互连金属化层内设置的两个电极之间并且具有与所施加的电压对应的可变电阻。发...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。