技术编号:11838599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子技术领域,特别是涉及一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。背景技术Ⅲ族氮化物HEMT器件(高电子迁移率晶体管)包括氮化镓HEMT器件、铝镓氮HEMT器件,该HEMT器件是充分利用半导体的异质结结构形成的二维电子气而制成的,与其他材料(如AlGaAs/GaAs)制成的HEMT相比,Ⅲ族氮化物半导体由于压电极化和自发极化效应,在AlGaN/GaN异质结构上(Heterostructure),能够形成高浓度的二维电子气。所以在使用AlGaN/GaN异质结制成的HE...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。