技术编号：11850081
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及耐等离子体部件、耐等离子体部件的制造方法以及耐等离子体部件的制造中使用的膜沉积装置。背景技术以前，在半导体装置和液晶显示装置等的制造工序的微细加工工艺中，通常利用由溅射装置或CVD装置进行的SiO2等绝缘膜的成膜、和由蚀刻装置进行的Si和SiO2的各向同性蚀刻以及各向异性蚀刻而形成微细布线和电极等。一般地说，这些装置为了提高成膜速度和蚀刻性，一般利用等离子体放电。例如，作为上述蚀刻装置，一般使用RIE(ReactiveIonEtching：反应离子蚀刻)装置之类的等离子体蚀刻...
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