技术编号：11850800
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式在X射线反射散射测量(XRS)的领域内，并且具体地，是使用多角度XRS测量周期结构的方法和系统。背景技术由于集成电路(IC)特征不断缩小到越来越小的尺寸，用于测量这种特征的计量上的约束成为压倒性的。例如，伴随每个新一代IC技术，临界尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM)计量的几个缺点变得更加显著。缺点可以包括：(1)已公知的充电问题，限制IC计量应用可到达的分辨率，(2)辐射损伤引起的抵抗的尺寸收缩，(3)与一些低k电介质的不相容，以及(4)CD-SEM实质上是表面技术，使得难以测量...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。