技术编号:11851899
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及处理制程设备发生的废气的等离子体反应器,特别是涉及一种具有分解制程腔室排出的废气,防止导管因等离子体放电而受到损坏的结构,过热时能够进行冷却的处理制程设备发生的废气的等离子体反应器。背景技术半导体、显示装置、太阳电池等的制程适用形成功能性薄膜、干蚀刻等制程。这些制程一般都是在真空腔室中进行,在形成功能性薄膜时利用多种金属、非金属前驱体作为制程气体,干蚀刻使用多种蚀刻气体。从制程腔室中排出废气的系统的构成要素包括制程腔室、真空泵和洗涤器等且彼此通过排气线连接。此处,从制程腔室排出的气体因...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。