技术编号:11851950
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高压加热和极化的静电基板托架。本发明的领域涉及在基板被高压极化时在低气压下处理这些基板。背景技术更具体地,旨在能够将杂质引入基板内的注入离子技术,已知名称为掺杂。掺杂能够改变基板的一些属性,如机械、热、电、疏水性或其它属性。为了实施这种注入,现可使用等离子体浸没模式下操作的离子注入机。因此,基板的离子注入包括在等离子体中浸没和用自几十伏特至几十千伏(通常小于100kV)的负电压使基板极化,以产生能够向基板加速等离子体离子的电场,进而将它们注入。被注入的原子即为掺杂剂。极化通常为脉冲...
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