技术编号:11851995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置。背景技术以往,已知一种半导体装置,包括:第一导电型半导体基板;在半导体基板上含有截面呈长方形的第一导电型第一半导体柱(Pillar)层和第二导电型第二半导体柱层的柱层;与半导体基板电连接的第一主电极;被形成在第一半导体柱层表面的第二导电型半导体基极(Base)层;被形成为与选择性地被扩散形成在半导体基极层表面的第一导电型半导体扩散层直接接合,且与半导体基极层电连接的第二主电极;以及由于在半导体扩散层与第一半导体柱层之间的半导体基层中形成沟道(Channel)从而在从半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。